◆マルチクライアント調査レポート：2025年06月30日発刊
メモリー関連市場の最新動向調査 2025
| − |
多層化や微細化、ウェハ積層などによる技術革新が進むメモリー市場を材料動向やメモリーメーカー各社のケーススタディから徹底分析 |
− |
- ■関連したテーマを持つレポートがあります
- 2026 先端／注目半導体関連市場の現状と将来展望 (刊行:2026年03月09日(予定))
- 受動部品最新動向調査 2026 (刊行:2025年12月08日(予定))
- 半導体アドバンスドパッケージ市場の展望 2025 (刊行:2025年10月30日)
- 2025 データセンター・AI／キーデバイス市場総調査 (刊行:2025年08月18日)
| −はじめに− |
|---|
- メモリーデバイス市場は、需給バランスの変化により値動きの激しい市場となっており、セット機器メーカーによる在庫の積み増し、セット機器市況の停滞、在庫過多による生産調整などを繰り返しながら容量ベース、金額ベースともに堅調に拡大してきた。
- NAND、DRAMともに従来はスマートフォンやPCなどのコンシューマー機器向けのエンベデッドストレージ向けが市場の伸びをけん引してきたが、オンラインストレージの普及、「ChatGPT」をはじめとする生成AIの登場によりサーバー向けの比率が急速に上昇している。また、DRAMの場合はAI対応のセット機器が増加することにより、エッジデバイス側の容量増も進んでいる。
- このような状況下で、メモリーデバイスにはそれぞれ1チップ当たりの容量をいかに増加させるか、また、より高速な駆動を実現するかに重点が置かれている。
- NANDでは多層化による容量の増加、ハイブリッドボンディング技術の採用による高速駆動の実現、これを支える技術として、半導体前工程ではクライオエッチングやマルチボンディング技術、水平方向チャネル、後工程ではSSDにおけるチップ積層数の増加やTSV技術を用いた積層チップモジュールなどの開発が進んでいる。
- DRAMもNAND同様に1チップの大容量化は進んでいるが、特に注目されているのは生成AIサービスの根幹をなすAIサーバーでのHBMの開発となる。HBMはTSV技術を用いて製造することから、通常のDRAMと比較してダイサイズが大きく、1枚のウェハから出力される容量が小さくなる。また、TSV工程、薄化工程、チップ積層工程など工程が非常に難しく歩留まりが低水準にとどまっている。
- そのため、メモリーメーカーの投資はDRAM、特にHBM関連の投資に偏っており、NANDについては生産能力を増強させるのではなく、ウェハ投入量を落とすことなく、より高容量のNANDを生産することで容量ベースの成長率を担保するような投資を行っている。一方でDRAMは各社ともにHBM向けのウェハ投入量を増やしていることから、生産能力を増強するための設備投資が必須となっている。後工程についても生産能力の増強が必要となるため、前後工程ともに新工場の建設が予定されている。中でも中国のメモリーメーカーは特に積極的な投資を展開しており、中国政府主導の国産化政策の進展を背景に大きく拡大を継続している。
- 本マルチクライアント特別調査報告書では、半導体デバイスの中でも非常に大きな金額規模を占めるメモリーデバイスの市場動向、技術動向をデバイスそのもの、関連材料、メーカーケーススタディの観点から詳解する。
- 関係各位が本マルチクライアント特別調査企画を今後の事業戦略立案・展開において役立てていただくことを切に望むものである。
|
| −調査目的− |
|---|
- 本マルチクライアント特別調査報告書では、半導体業界の一大マーケットであるメモリーを軸に、アプリケーション、メモリーそのもの、関連材料などを統合的に分析することにより、メモリー市場の今後の動向、メモリーメーカー各社の実力、今後の投資計画、技術動向を明らかにすることを目的とした。
|
| −調査対象− |
|---|
- ■調査対象品目
-
| 調査セグメント
| 対象品目数
| 調査対象
|
|---|
| メモリーデバイス
| 2品目
| NAND、DRAM
|
|---|
| 関連材料
| 4品目
| シリコンウェハ、CMPスラリー、ダイシングテープ、メモリー基板
|
|---|
メモリーメーカー
ケーススタディ
| 6社
| キオクシア、CXMT、Micron Technology、Samsung El.、SK hynix、YMTC
|
|---|
|
| −調査項目− |
|---|
- ■メモリーデバイス
-
- 1. 製品概要
- 2. デバイス市場動向
-
- 1) 市場規模推移
-
(1) 容量ベース
(2) チップ個数ベース
(3) パッケージ個数ベース
- 2) 用途別ウェイト
-
(1) 容量ベース
(2) チップ個数ベース
(3) パッケージ個数ベース
- 3) タイプ別ウェイト（パッケージ個数ベース）
- 4) 価格動向
- 3. シリコンウェハベース市場動向
-
1) インプット／アウトプット
2) ハイブリッドボンディング採用動向
- 4. メーカー動向
-
1) メーカーシェア（容量ベース）
2) メーカー動向
3) 前工程／後工程生産拠点
4) 生産委託先
5) 設備投資動向
- 5. 製品ロードマップ
- ■関連材料
-
- 1. 製品概要
- 2. 市場動向
-
1) 市場規模推移
2) タイプ別ウェイト
3) 価格動向
- 3. メーカー動向
-
1) メーカーシェア
2) サプライチェーン（2025年Q1時点）
3) メーカー動向
4) 生産拠点
5) 設備投資動向
- 4. メモリーメーカーからの要求の変化
- 5. 製品ロードマップ
- ■メモリーメーカーケーススタディ
-
- 1. 企業プロフィール
- 2. メモリー事業の概況
-
- 1) 売上高推移
- 2) 出荷数量推移
-
(1) ウェハインプット
(2) ウェハアウトプット
(3) 出荷容量
- 3) 用途別ウェイト（容量ベース）
- 4) タイプ別ウェイト
- 3. メモリー製造関連動向
-
- 1) 生産拠点／ライン一覧
-
(1) 前工程
(2) 後工程
(3) 外部委託
- 2) 前工程稼働率（2025年1-3月時点）
- 3) 半導体に関する設備投資動向
- 4) 先端工程における拠点戦略
- 5) 米中デカップリングによる影響
-
(1) 中国国内にある生産拠点の位置付け
(2) 米国での生産拠点の位置付け
- 6) 製品ロードマップ
- 4. 製品供給先
- 5. 材料・装置調達先
- 6. 材料・装置調達における方針、中国製材料・装置の採用状況
-
1) 調達方針
2) 中国製材料・装置の採用
|
| −目次− |
|---|
- 1.0 総括（1）
-
- 1.1 メモリーデバイスの世界市場（2）
- 1.2 各メモリーメーカーの製造ラインと設備投資動向（3）
- 1.3 技術動向（12）
-
1.3.1 3D NAND大容量化・高速化へのアプローチ（12）
1.3.2 DRAMにおけるプロセスルールの微細化とEUV露光技術の採用拡大（15）
1.3.3 HBMの大容量化・高速化と工法の変化（CoW・WoW）（17）
- 1.4 米中デカップリングの影響（19）
-
1.4.1 日本・米国・中国政府によるメモリー業界への支援、政策動向（19）
1.4.2 No China・In China戦略による外資系メーカーの中国工場の位置付け（22）
- 1.5 アプリケーション動向（25）
-
1.5.1 スマートフォン（25）
1.5.2 ノートPC（28）
1.5.3 サーバー（31）
- 2.0 メモリーデバイス（34）
-
2.1 NAND（35）
2.2 DRAM（43）
- 3.0 関連材料（53）
-
3.1 シリコンウェハ（54）
3.2 CMPスラリー（59）
3.3 ダイシングテープ（63）
3.4 メモリー基板（67）
- 4.0 メモリーメーカーケーススタディ（76）
-
4.1 キオクシア（77）
4.2 CXMT（86）
4.3 Micron Technology（94）
4.4 Samsung El.（106）
4.5 SK hynix（117）
4.6 YMTC（128）
|
|
