◆マルチクライアント調査レポート:2020年03月19日発刊

2020 化合物半導体市場の最新動向

次世代通信インフラ(5G/6G通信、データセンター)に向け活性化する市場と3Dセンシング、自動運転といった新規用途のポテンシャルを徹底調査
−はじめに−
  • 半導体デバイス分野では長らくSiが採用されてきたが、昨今ワイドバンドギャップ半導体とも呼ばれる化合物を使用した半導体が、ポストSi半導体として高周波・光・パワーなどの多分野にて注目されている。
  • 化合物半導体は2種類以上の物質を合わせたものであり、ワイドギャップ半導体など高いポテンシャルを持つ高性能半導体を示すことが多い。高い電子移動度や受発光機能を活かしたデバイスが注目されている。
  • 化合物半導体のターゲットとして次世代通信インフラ(5G/6G通信、データセンター)向けの市場において、アプリケーション側のさらなる高速化・大容量化の要望に応えるために、化合物半導体を用いた高周波デバイス・光デバイス市場が活性化している。高周波デバイスではSi半導体が採用されていた分野も大きかったが、周波数帯が高くなることで化合物半導体の採用比率は高まっている。
  • 新たな用途として自動運転やEVなど次世代モビリティ分野におけるセンシング用途とパワーデバイス用途が立ち上がりつつある。3Dセンシング用途ではスマートフォンへの搭載により、化合物半導体市場の拡大に大きく貢献している。また自動車及び自動車関連メーカーの次世代モビリティ分野において化合物半導体を採用しようとする意欲は高く、さらなる開発が期待されている。
  • ウェハの製造技術に関してもSiデバイスと比較すると、品質面でもかなり劣っていた。しかし、5G通信や光通信レーザーなどの基幹部品として使用されるため、求められるスペックも厳しくなり始めている。
  • 基板の製造とともにエピタキシャル成長の専業メーカーも出てくるなどウェハ関連材料は重要な位置付けを得るようになった。デバイスメーカーの機密保持の観点からもエピ専業メーカーとの付き合いは非常に難しくなっている。
  • 本マルチクライアント特別調査報告書では化合物半導体を用いた高周波・光・パワーデバイスなどの化合物デバイス、化合物半導体の材料である化合物ウェハに注目し、アプリケーションの動向とともに今後の見通しを明らかにした。
  • 関係各位が事業戦略を立案・展開されるにあたり、本特別調査報告書を役立てていただくことを切に望む。
−調査目的−
  • 次世代通信インフラ(5G/6G通信、データセンター)分野、次世代モビリティ分野などにおける化合物半導体デバイスの搭載動向、使用される化合物半導体ウェハの技術動向、および採用先アプリケーションとの関連性を調査し、今後のトレンドを明らかにすることにより、当該事業展開のための有用な情報を提供することを目的とした。
−調査対象−
1) 調査対象品目
デバイス編7品目GaAs系高周波デバイス、GaN系高周波デバイス、SiGe系高周波デバイス、InP系高周波デバイス、LD、UV-LED、PD
ウェハ編7品目GaAsウェハ、GaNウェハ、GaPウェハ、Ga2O3ウェハ、InPウェハ、SiCウェハ、SiGeウェハ
合計14品目
企業事例編10社サイオクス、昭和電工、信越半導体、住友電気工業、ノベルクリスタルテクノロジー、三菱電機、Cree、NXP Semiconductors、VPEC、II-VI(Finisar)
2) 調査対象地域・地域
日本/中国/台湾/韓国/その他アジア(フィリピン/タイ/マレーシア/ベトナム/インドネシア/インド/西アジア/その他)/北米/中南米(メキシコ/ブラジル/その他)/欧州(西欧/ロシア含む東欧)/その他(アフリカ/オセアニアなど)
−調査項目−
1) デバイス編
1. 製品概要/定義
2. 用途別製品概要
3. 市場規模推移・予測
4. 製品別市場動向
1) タイプ別ウェイト
2) メーカーシェア
5. 主要参入メーカーおよび動向
6. 参入メーカーの事業領域
7. 価格動向(2020年Q1時点)
8. 採用技術・製造プロセス動向
1) 注目材料・技術・関連企業
2) 技術関連ロードマップ
2) ウェハ編
1. 製品概要/定義
1) 製品定義
2) スペック
3) 製造方法
4) 製造方法と用途
2. 業界構造
3. ワールドワイド市場動向
1) 市場規模推移・予測
2) ウェハサイズ別ウェイト
4. 価格動向(2020年Q1時点)
5. メーカーシェア
1) ウェハ
2) エピウェハ
6. 主要参入メーカーおよび動向
7. 納入関係(2020年Q1時点)
8. 製品/技術動向
3) 企業事例編
1. 企業プロフィール
2. 取り扱い製品・事業
1) デバイス
2) ウェハ
3. 注力分野
1) デバイス
2) ウェハ
4. 今後の市場展望
−目次−
1.0 総括編(1)
1.1 総括(2)
1.2 化合物半導体デバイス市場の現状と将来展望(4)
1.3 化合物半導体ウェハ市場の現状と将来展望(17)
1.4 化合物半導体ウェハ開発ロードマップ(18)
1.5 ウェハ製造技術の動向(19)
1.6 周波数・波長別化合物半導体採用動向(20)
1.7 参入メーカー一覧(22)
2.0 デバイス編(24)
2.1 高周波デバイス(25)
2.1.1 GaAs系高周波デバイス(25)
2.1.2 GaN系高周波デバイス(32)
2.1.3 SiGe系高周波デバイス(40)
2.1.4 InP系高周波デバイス(42)
2.2 光デバイス(44)
2.2.1 LD(44)
2.2.2 UV-LED(53)
2.2.3 PD(57)
3.0 ウェハ編(61)
3.1 GaAsウェハ(62)
3.2 GaNウェハ(69)
3.3 GaPウェハ(77)
3.4 Ga2O3ウェハ(81)
3.5 InPウェハ(85)
3.6 SiCウェハ(90)
3.7 SiGeウェハ(97)
4.0 企業事例編(99)
4.1 サイオクス(100)
4.2 昭和電工(102)
4.3 信越半導体(104)
4.4 住友電気工業(106)
4.5 ノベルクリスタルテクノロジー(109)
4.6 三菱電機(111)
4.7 Cree(113)
4.8 NXP Semiconductors(115)
4.9 VPEC(117)
4.10 II-VI(Finisar)(119)
−お問い合わせ・お申し込みについて−
調査資料名
2020 化合物半導体市場の最新動向

頒価
660,000円(税抜 600,000円)

発刊日
2020年03月19日

報告書体裁
A4版 ワープロタイプアップ

ページ数
120ページ

担当部署
株式会社富士キメラ総研 第一部
TEL. 03-3664-5839 FAX. 03-3661-1414

お申し込み方法
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